14.10.2013
В ЛЭТИ начинает работу коллектив ученых, аспирантов и студентов вуза, возглавляемый американским ученым с мировым именем, признанным авторитетом в области разработки современных электронных материалов на основе кристаллов алмаза профессором Дж. Э. Батлером.
Под его руководством коллективом ученых Института прикладной физики РАН и ЛЭТИ будут разработаны высокочастотные электронные приборы большой мощности, основанные на полупроводниковых алмазных материалах. Эти разработки определят дальнейшее развитие силовых электронных устройств, работающих в экстремальных условиях.
Исследования ученых будут вестись по трем направлениям: разработка технологии нанесения полупроводниковых пленок алмазов; разработка методов контроля и диагностики; разработка прототипов полупроводниковых приборов на основе алмаза. Впервые в стенах ЛЭТИ наши специалисты будут решать сложные научные задачи под руководством известного иностранного ученого.
По оценкам специалистов мировой рынок силовых полупроводниковых приборов, превышает сегодня 10 миллиардов долларов и ежегодно растет на 8 до 10%. При этом большая часть технологий инфраструктуры энергосистем была разработана еще в 1930-е годы и нуждается в замене.
Источник: Пресс-служба ЛЭТИ
